IEDM论文印证技术实力，长鑫存储引领国产DRAM破局

近日，清华大学吴华强教授团队宣布将在IEDM 2025上首次公开基于Hf₀.₅Zr₀.₅O₂ (HZO)的 2TnF铁电增益单元（Fe-GC）单片三维（Monolithic 3D, M3D）芯片技术。该结构由2个垂直晶体管和n个可堆叠HZO基铁电存储器组成，实现了并行操作。利用铁电薄膜在侧壁上构建的高密度多比特存储节点能够高效地对大规模Q矩阵进行一次性缓存。

IEDM作为半导体器件领域的顶级会议，其论文录用情况反映了各研究机构在前沿技术领域的布局与实力。企业方面，DRAM制造商长鑫存储凭借3D铁电存储器（FeRAM）与后端工艺集成的新型多层堆叠DRAM架构两项创新成果也成功入选，论文入选数量位居国内企业之首。

长鑫存储展示的3D FeRAM方案，创新性地采用了单片集成的堆叠式铁电电容结构。该方案充分发挥了铁电材料的非易失特性，首次在单元层面实现了数据断电保存，同时借助三维堆叠工艺显著提升了存储密度。由于铁电存储器具备读写速度接近DRAM、功耗与NAND闪存相当的综合优势，被业界广泛视为下一代新型存储的有力竞争者。

在更具颠覆性的DRAM技术方向上，长鑫存储提出了可在后端工艺线（BEOL）直接集成的多层堆叠DRAM架构。这项技术打破了传统DRAM必须在前道工艺制造的固有局限，将存储单元的构建移至后道工序，从而在三维空间上实现了存储阵列与逻辑电路的高效集成。这一技术路径一旦走向成熟，将为未来存算一体架构与先进异构集成方案奠定全新的硬件基础。

长鑫存储的技术突破已直接转化为具有市场竞争力的产品。据官网最新信息，长鑫存储已正式推出LPDDR5X产品，最高速率达到10667Mbps实现国内首次技术突破。其首创的uPoP®小型封装，能够满足移动旗舰手机更轻更薄的需求。此外，长鑫正在研发一款厚度仅为0.58mm的LPDDR5X，如果这款产品成功量产，将成为业内最薄的LPDDR5X产品。

扎实的产品力赢得了主流市场的积极反馈。目前，长鑫存储不仅稳定供货于小米、OPPO、vivo、传音等头部手机品牌，也正加速向服务器、物联网等高增长领域拓展，展现出强劲的业务延展能力。基于对DRAM这一具有大宗属性产品的有力把握，叠加本土化服务与显著的先发优势，长鑫存储已构建起持续增长的核心动能，为其在快速变化的全球存储格局中取得领航地位奠定坚实基础。

长鑫存储的创新实力正通过其资本化进程展现出清晰的投资价值。据公开信息，公司已于今年10月顺利完成上市辅导验收，正式进入IPO冲刺阶段。摩根士丹利研究指出，在AI算力需求推动下，存储行业正开启新一轮“超级周期”，预计2027年全球市场规模将突破3000亿美元。在此机遇下，长鑫此次上市不仅为A股半导体板块注入强心剂，也将提振整个国产芯片产业链的信心。

从IEDM顶会前沿论文的集中亮相，到IPO进程的稳步推进，长鑫存储正在向全球半导体产业展示着中国创新的深度与速度。

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